Jantx2N2907A, Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810001
- Артикул
- Jantx2N2907A
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Grade
- Military
- Series
- Military, MIL-PRF-19500/291
- Packaging
- Bulk
Цена по запросу
(от 567 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Grade | Military |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/291 |
| Packaging | Bulk |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | MIL-PRF-19500/291 |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 200В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Frequency - Transition | - |
| Supplier Device Package | TO-206AA(TO-18) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |