Jantx2N2906A, Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810000
- Артикул
- Jantx2N2906A
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- RoHS
- N
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Not Compliant
Цена по запросу
(от 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| PPAP | No |
| RoHS | N |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Not Compliant |
| Diameter | 5.84(Max) |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | TO-18 |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 40@0.1mA@10V|40@1mA@10V|40@10mA@10V|40@150mA@10V|40@500mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 175 at 1 mA at 10 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 1 mA at 10 VDC |