JANSR2N2222AUA, Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin SMD
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048070300
- Артикул
- JANSR2N2222AUA
- Бренд
- Semicoa Semiconductors
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Category
- Bipolar Power
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 17 190 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 50 В 0,8 А 500 МВт 4-контактный корпус UA
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.71(Max) |
| Package Length | 3.93(Max) |
| Supplier Package | Case UA |
| Minimum DC Current Gain | 50@0.1mA@10V, 75@1mA@10V, 100@10mA@10V, 100@150mA@10V, 30@500mA@10V |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA, 2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA, 1@50mA@500mA |