JANS2N3700UB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 500 mW Surface Mount UB
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063681916
- Артикул
- JANS2N3700UB
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Category
- Bipolar Power
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 10 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500 МВт 4-контактный корпус UB Waffle
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Waffle |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.74(Max) |
| Package Length | 3.25(Max) |
| Supplier Package | Case UB |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 50@0.1mA@10V, 90@10mA@10V, 100@150mA@10V, 50@500mA@10V, 15@1A@10V |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 7 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 140 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@15mA@150mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@15mA@150mA, 0.5@50mA@500mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |