JANS2N2222A, Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063751103
- Артикул
- JANS2N2222A
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- RoHS
- N
- Type
- NPN
- Grade
- Military
Цена по запросу
(от 8 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| PPAP | No |
| RoHS | N |
| Type | NPN |
| Grade | Military |
| EU RoHS | Compliant |
| Diameter | 5.84(Max) |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | MIL-PRF-19500/255 |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-18 |
| Упаковка | Tray |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C(TJ) |
| Standard Package Name | TO-206-AA |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-18(TO-206AA) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 200 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |