Моя заявка (0)
JAN2N3439, Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043704083
Артикул
JAN2N3439
Бренд
Microchip Technology
RoHS
N
Вес, г
0.05
Корпус
TO-39
Упаковка
Bulk
Цена по запросу
(от 3 140 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Технические параметры

RoHSN
Вес, г0.05
КорпусTO-39
УпаковкаBulk
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Упаковка / блокTO-39-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности800 mW
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)450 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 200 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.350 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160 at 20 mA, 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 20 mA, 10 V