JAN2N3019, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063661085
- Артикул
- JAN2N3019
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- TO-39
- Упаковка
- Tray
Цена по запросу
(от 2 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | TO-39 |
| Упаковка | Tray |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |