Моя заявка (0)

Jan2N2906A, Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT

Jan2N2906A, Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005439615
Артикул
Jan2N2906A
Бренд
Microchip Technology
RoHS
N
Вес, г
1
Упаковка
Bulk
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 726 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Технические параметры

RoHSN
Вес, г1
УпаковкаBulk
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаMicrosemi
Упаковка / блокTO-18-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки1
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 200 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора600 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.175 at 1 mA at 10 VDC
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 1 mA at 10 VDC