Jan2N2905, Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809737
- Артикул
- Jan2N2905
- Бренд
- Microchip Technology
- RoHS
- N
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Bulk
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 7 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 1 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 1 mA at 10 V |