J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]
![J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]](https://static.epl-electro.ru/lib/211/DOC001211862.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000167103
- Артикул
- J113
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.3
- Корпус
- TO-92
- при Id, нА
- 1000
- Структура
- N-канал
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx полупроводниковыx устройств JFET (полевой транзистор с переxодом) и HEMT/HFET (транзистор с высокой подвижностью электронов/ полевой транзистор с гетеропереxодом).
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Корпус | TO-92 |
| при Id, нА | 1000 |
| Структура | N-канал |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Ток утечки (Idss), мА | 2(min) |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.5…3 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 100(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |