J112-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523183
- Артикул
- J112-D26Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Formed |
| Вес, г | 0.22 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.19(Max) |
| Package Height | 5.33(Max) |
| Package Length | 5.2(Max) |
| Supplier Package | TO-92 |
| Standard Package Name | TO |
| Maximum Drain Gate Voltage (V) | 35 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | -35 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Minimum Drain Saturation Current (mA) | 5 |