Моя заявка (0)
IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024519287
Артикул
IXYY8N90C3
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Вид
IGBT
Тип
БТИЗ
Series:
Planar
Цена по запросу
(от 690 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO252 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

Brand:IXYS
ВидIGBT
ТипБТИЗ
Series:Planar
Packaging:Tube
Tradename:XPT
Вес, г0.32
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:IXYS
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:125 W
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:3 V
Continuous Collector Current at 25 C:20 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:70

Техническая документация