IXYT55N120A4HV, IGBTs TO268 1200V 55A XPT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064026166
- Артикул
- IXYT55N120A4HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 7
- Серия
- Trench - 650V - 1200V GenX52
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 2 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO268HV
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX52 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-268HV-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 650 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 350 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 175 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |