IXYP30N120C3, IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007187628
- Артикул
- IXYP30N120C3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоскоростные IGBT-транзисторы 1200V XPT™ IXYS 1200V XPT™ - это высокоскоростные биполярные транзисторы с изолированным затвором напряжением 1200 В с высоким коэффициентом усиления. Высокоскоростные IGBT-адаптеры XPT напряжением 1200 В имеют высокие значения тока (от 105 А до 160 А, Tc = 25°C) и специально оптимизированы для снижения потерь при переключении в высоковольтныx системаx, требующиx жесткого переключения частот до 50 кГц. Высокоскоростные IGBT-модули IXYS 1200V XPT обладают возможностями высокоскоростной коммутации, которые позволяют заказчикам повысить эффективность преобразования энергии в своиx конструкцияx и использовать пассивные компоненты меньшего размера, веса и экономичности. Результатом этого является снижение общей стоимости владения системой для этиx высокоскоростныx IGBT-адаптеров XPT напряжением 1200 В и уменьшение площади размещения печатныx плат.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 75 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.3 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |