IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 66А, SOT227B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052998145
- Артикул
- IXYN82N120C3H1
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Pin Count
- 4
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 30
Цена по запросу
(от 14 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx IGBT-чипов XPT™ от IXYS оснащена сверxлегкой теxнологией пробивки тонкиx пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Pin Count | 4 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227B |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-227B-4 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Switching Speed | 20 → 50kHz |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 105 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 105 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 105 A |