IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056486161
- Артикул
- IXYN30N170CV1
- Бренд
- Ixys Corporation
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- XPTв„ў ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 13 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | XPTв„ў -> |
| Package | Tube |
| Input Type | Standard |
| Вес, г | 30 |
| Gate Charge | 140nC |
| Power - Max | 680W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Test Condition | 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Switching Energy | 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) |
| Упаковка | Tube |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 28ns/150ns |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 30A |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Подкатегория | IGBTs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | Module |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 275A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Pd - рассеивание мощности | 680 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 88 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |