Моя заявка (0)

IXYH85N120C4, IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247

IXYH85N120C4, IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064026163
Артикул
IXYH85N120C4
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Packaging:
Tube
Вес, г
7
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 2 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные станции постоянного тока предназначены для преобразования энергии переменного тока из электросети в энергию постоянного тока, которая затем может подаваться непосредственно в аккумуляторную систему автомобиля для быстрой зарядки – за 30 минут или меньше. Поскольку преобразование переменного тока в постоянный осуществляется на зарядной станции, эти устройства могут обеспечивать более высокий уровень мощности (от 50 до 350 кВт и более) для автомобиля по сравнению с зарядными станциями переменного тока. При работе с мощностью от десятков до сотен киловатт решающее значение имеют эффективное преобразование, надежность системы и безопасность пользователя.

Технические параметры

Brand:IXYS
Packaging:Tube
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:1.15 kW
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max:240 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:240 A

Техническая документация