Моя заявка (0)
IXYH82N120C3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 82А, 1,25кВт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061725373
Артикул
IXYH82N120C3
Бренд
Ixys Corporation
Pin Count
3
Вес, г
6.14
Серия
IXYH82N120
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 6 980 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г6.14
СерияIXYH82N120
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
Switching Speed50kHz
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаIGBT Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Maximum Power Dissipation1250 W
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Continuous Collector Current200 A
Pd - рассеивание мощности1040 W
Коммерческое обозначениеXPT
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки30
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.160 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C160 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.75 V

Техническая документация