IXXX200N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 200А, 1,63кВт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316619
- Артикул
- IXXX200N65B4
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6
- Серия
- Trench - 650V - 1200V GenX37
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 5 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX37 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | PLUS247-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 1150 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 370 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |