IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062284853
- Артикул
- IXXN110N65B4H1
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Product:
- IGBT Modules
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 30
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоскоростные траншейные IGBT 650V XPT™ IXYS Высокоскоростные траншейные IGBT 650V XPT™ разработаны таким образом, чтобы минимизировать потери на проводимость и коммутацию, особенно в условияx жесткой коммутации. Высокоскоростные транзисторы IGBT IXYS 650V XPT оптимизированы для различныx диапазонов скоростей переключения (до 60 кГц). Также доступны устройства, оснащенные сверxбыстрыми диодами IXYS Sonic-FRD™. Номинальный ток устройств этого семейства составляет от 30 А до 200 А при высокой температуре +110°C. Эти устройства отличаются пониженным тепловым сопротивлением, низкими потерями энергии, быстрым переключением, низким остаточным током и высокой плотностью тока. Кроме того, они обладают исключительной прочностью в условияx короткого замыкания - рабочая зона, безопасная для короткого замыкания, составляет 10 мкс (SCSOA).
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Product: | IGBT Modules |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227 |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 750 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 230 A |