IXXK200N65B4, IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724481
- Артикул
- IXXK200N65B4
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 10.6
- Серия
- IXXK200N65
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 6 680 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 200А, 1,63кВт, TO264 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 10.6 |
| Серия | IXXK200N65 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 1150 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 370 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |