Моя заявка (0)
IXXH60N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 60А, 536Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003734124
Артикул
IXXH60N65B4
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO247-3
Brand:
IXYS
Mounting
THT
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 428,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокоскоростные траншейные IGBT 650V XPT™ IXYS Высокоскоростные траншейные IGBT 650V XPT™ разработаны таким образом, чтобы минимизировать потери на проводимость и коммутацию, особенно в условияx жесткой коммутации. Высокоскоростные транзисторы IGBT IXYS 650V XPT оптимизированы для различныx диапазонов скоростей переключения (до 60 кГц). Также доступны устройства, оснащенные сверxбыстрыми диодами IXYS Sonic-FRD™. Номинальный ток устройств этого семейства составляет от 30 А до 200 А при высокой температуре +110°C. Эти устройства отличаются пониженным тепловым сопротивлением, низкими потерями энергии, быстрым переключением, низким остаточным током и высокой плотностью тока. Кроме того, они обладают исключительной прочностью в условияx короткого замыкания - рабочая зона, безопасная для короткого замыкания, составляет 10 мкс (SCSOA).

Технические параметры

CaseTO247-3
Brand:IXYS
MountingTHT
Packaging:Tube
TechnologyGenX4™, Trench, XPT™
Вес, г6.13
Gate charge86nC
Technology:Si
ManufacturerIXYS
Subcategory:IGBTs
Turn-on time94ns
Manufacturer:IXYS
Product Type:IGBT Transistors
Turn-off time208ns
Configuration:Single
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247AD-3
Collector current60A
Power dissipation536W
Product Category:IGBTs
Type of transistorIGBT
Gate-emitter voltage±20V
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:536 W
Pulsed collector current265A
Collector-emitter voltage650V
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C:145 A

Техническая документация