IXXH30N65B4, Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066201590
- Артикул
- IXXH30N65B4
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6.08
- Серия
- IXXH30N65
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 1 030 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 6.08 |
| Серия | IXXH30N65 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |