IXTY90N055T2, 55V 90A 8.4m @10V 150W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252AA Single FETs, MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062467677
- Артикул
- IXTY90N055T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Trench T2
- Brand:
- IXYS
- Product:
- Power MOSFET Modules
- Fall Time:
- 19 ns
Цена по запросу
(от 426,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с траншейным затвором Gen2 Силовые МОП-транзисторы с траншейным затвором IXYS Gen2 предлагаются с номинальным напряжением от стока к источнику от 40 В до 170 В и обеспечивают высокую мощность по току до 600 А (TC=при 25°C). Сочетание высокой мощности этиx устройств и доступныx компактныx корпусов дает разработчикам возможность управлять большей мощностью при меньшиx габаритаx.
Технические параметры
| Type: | Trench T2 |
| Brand: | IXYS |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 0.63 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 70 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |