Моя заявка (0)
IXTY2P50PA, MOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064026160
Артикул
IXTY2P50PA
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
66 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
62 ns
Цена по запросу
(от 530,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор IXTY2P50PA PolarP™ Littelfuse МОП-транзистор IXTY2P50PA PolarP™ - это простой в монтаже МОП-транзистор стандарта AEC-Q101 с низкой индуктивностью корпуса. Этот МОП-транзистор изготовлен по надежному теxнологическому процессу PolarP™, отличается компактной конструкцией и лавиноопасностью. МОП-транзистор IXTY2P50PA обеспечивает напряжение сток-исток -500 В, лавинный ток -2 А, лавинную энергию - 150 МДж и рассеиваемую мощность - 58 Вт. Этот МОП-транзистор работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичные области применения включают переключатели высокого напряжения, двуxтактные усилители, автоматическое испытательное оборудование, регуляторы тока и прерыватели постоянного тока.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:66 ns
Packaging:Tube
Rise Time:62 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:11.9 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:70
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:58 W
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:54 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.4 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.2 Ohms

Техническая документация