IXTY1R6N50D2, Транзистор N-MOSFET, 500В, 100Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062396305
- Артикул
- IXTY1R6N50D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO252
- Type:
- Depletion Mode MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 484,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Type: | Depletion Mode MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 41 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 70 ns |
| Вес, г | 0.32 |
| Gate charge | 23.7nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 1.6A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 100W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23.7 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 2.3Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 400ns |
| Factory Pack Quantity: | 70 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |