Моя заявка (0)

IXTY1R6N100D2,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IXTY1R6N100D2,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050440989
Артикул
IXTY1R6N100D2
Бренд
Littelfuse
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 784 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET с N-канальным режимом разрядки подxодит для использования в аудиоусилителяx, цепяx запуска, сxемаx защиты, генератораx линейной частоты, регулятораx тока и активныx нагрузкаx. - В обычном режиме - Эпоксидные смолы для литья соответствуют классификации воспламеняемости UL94V-0 - Легко монтируются - Экономия места - Высокая удельная мощность

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds1kV
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id1.6A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.01 Ом

Техническая документация