IXTY18P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, ТО252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004188807
- Артикул
- IXTY18P10T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO252
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchP™
- Вес, г
- 0.32
Цена по запросу
(от 574 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, ТО252 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchP™ |
| Вес, г | 0.32 |
| Gate charge | 39nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -18A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 83W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±15V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Drain-source voltage | -100V |
| Reverse recovery time | 62ns |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 83 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |