Моя заявка (0)

IXTY14N60X2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IXTY14N60X2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014310051
Артикул
IXTY14N60X2
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
4
Серия
IXTY14N60X2
Корпус
TO-252
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 1 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, DPAK

Технические параметры

Вес, г4
СерияIXTY14N60X2
КорпусTO-252
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада17 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-252
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора16.7 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности180 W
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки70
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении23 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.7 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт180
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 Ом

Техническая документация