Моя заявка (0)

IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, DPAK

IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010479109
Артикул
IXTY14N60X2
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
0.31
Серия
IXTY14N60X2
Упаковка
Tube
Технология
Si
Цена по запросу
(от 614,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH THROUGH HOLE

Технические параметры

Вес, г0.31
СерияIXTY14N60X2
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада17 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-252
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора16.7 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности180 W
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки70
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения75 ns
Типичное время задержки при включении23 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.7 S

Техническая документация