Моя заявка (0)

IXTY02N120P,Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IXTY02N120P,Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046383684
Артикул
IXTY02N120P
Бренд
Littelfuse
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
5.443
Цена по запросу
(от 522 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 1200 В 200 мА (Tc) 33 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-252AA

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г5.443
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75Ohm @ 500mA, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)33W(Tc)
Supplier Device PackageTO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds104 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)75 Ом

Техническая документация