IXTY02N120P, MOSFETs 0.2Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024889241
- Артикул
- IXTY02N120P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 286,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 70 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |