Моя заявка (0)
IXTX32P60P, MOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006251033
Артикул
IXTX32P60P
Бренд
Ixys Corporation
Тип
PolarP Power MOSFET
Вес, г
7.3
Длина
16.13 mm
Серия
IXTX32P60
Цена по запросу
(от 3 647,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -600В, -32А, 890Вт, 480нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ТипPolarP Power MOSFET
Вес, г7.3
Длина16.13 mm
СерияIXTX32P60
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
Высота21.34 mm
Ширина5.21 mm
Product RangePolarP
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
Transistor MountingThrough Hole
ТехнологияSi
Transistor Case StylePLUS247
Вид монтажаThrough Hole
Время спада33 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Drain Source Voltage Vds600V
ПодкатегорияMOSFETs
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id32A
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокPLUS-247-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора196 nC
Время нарастания27 ns
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Категория продуктаМОП-транзистор
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности890 W
Id - непрерывный ток утечки32 A
Коммерческое обозначениеPolarP
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения95 ns
Типичное время задержки при включении37 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.21 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация