Моя заявка (0)

IXTX32P60P,Power MOSFET, P Channel, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Through Hole

IXTX32P60P,Power MOSFET, P Channel, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003720885
Артикул
IXTX32P60P
Бренд
Ixys Corporation
Тип
PolarP Power MOSFET
Вес, г
4
Длина
16.13 mm
Серия
IXTX32P60
Цена по запросу
(от 5 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -32 Amps -600V 0.350 Rds

Технические параметры

ТипPolarP Power MOSFET
Вес, г4
Длина16.13 mm
СерияIXTX32P60
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
Высота21.34 mm
Ширина5.21 mm
Product RangePolarP
УпаковкаTube
СтруктураP-Channel
Transistor MountingThrough Hole
ТехнологияSi
Transistor Case StylePLUS247
Вид монтажаThrough Hole
Время спада33 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Drain Source Voltage Vds600V
ПодкатегорияMOSFETs
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id32A
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокPLUS-247-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора196 nC
Время нарастания27 ns
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Категория продуктаМОП-транзистор
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности890 W
Id - непрерывный ток утечки32 A
Коммерческое обозначениеPolarP
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения95 ns
Типичное время задержки при включении37 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.21 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт890
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация