Моя заявка (0)

IXTX200N10L2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 200А, 1040Вт, PLUS247™, 245нс

IXTX200N10L2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 200А, 1040Вт, PLUS247™, 245нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061942142
Артикул
IXTX200N10L2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Linear L2 Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 4 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.

Технические параметры

Type:Linear L2 Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:27 ns
Packaging:Tube
Rise Time:225 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:540 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:1.04 kW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:127 ns
Id - Continuous Drain Current:200 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:55 S
Rds On - Drain-Source Resistance:11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V

Техническая документация