IXTX170P10P, MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006246465
- Артикул
- IXTX170P10P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTX170P10
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 3 650 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -170А, 890Вт, 176нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTX170P10 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 240 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 58 S/35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |