IXTX120P20T, Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -200В, -120А, 1040Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003036260
- Артикул
- IXTX120P20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- TrenchP Power MOSFET
- Вес, г
- 6.95
- Длина
- 16.13 mm
- Серия
- IXTX120P20
Цена по запросу
(от 4 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -200В, -120А, 1040Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | TrenchP Power MOSFET |
| Вес, г | 6.95 |
| Длина | 16.13 mm |
| Серия | IXTX120P20 |
| Высота | 21.34 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 50 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | PLUS-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 740 nC |
| Время нарастания | 85 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.04 kW |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchP |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 15 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 200 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1040 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 85 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |