IXTU8N70X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 8А, Idm: 16А, 150Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010477177
- Артикул
- IXTU8N70X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- IPAK
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 0.33
- Gate charge
- 12nC
Цена по запросу
(от 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 8А, Idm: 16А, 150Вт, IPAK
Технические параметры
| Case | IPAK |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 0.33 |
| Gate charge | 12nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 8A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 150W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.5Ω |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 16A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1mΩ@50A, 10V |