Моя заявка (0)

IXTT88N30P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TО268

IXTT88N30P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TО268

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065449612
Артикул
IXTT88N30P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
PolarHT Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 785,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные устройства переменного тока для электромобилей Компания Littelfuse предлагает широкий ассортимент продукции, подxодящей для зарядныx устройств переменного тока для электромобилей. Несмотря на то, что зарядные станции переменного тока более просты по сравнению с зарядными устройствами постоянного тока, они обеспечивают безопасную подачу переменного тока из электросети в автомобиль. Из–за ограниченного пространства и веса в автомобиле бортовые зарядные устройства и зарядные станции переменного тока обычно имеют меньшую мощность (22 кВт или менее), что означает, что время зарядки невелико и занимает несколько часов. Эти системы также используют бортовое зарядное устройство автомобиля, позволяющее преобразовывать переменный ток из сети в постоянный для зарядки аккумулятора автомобиля. Очень важно, чтобы были приняты надлежащие меры для защиты как зарядного устройства, так и автомобиля.

Технические параметры

Type:PolarHT Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:24 ns
Вес, г4.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D3PAK-3(TO-268-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:180 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:600 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:96 ns
Id - Continuous Drain Current:88 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:45 S
Rds On - Drain-Source Resistance:40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:300 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V

Техническая документация