Моя заявка (0)
IXTT40N50L2, MOSFETs 40 Amps 500V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068800243
Артикул
IXTT40N50L2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Linear L2 Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
44 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 450 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейные МОП-транзисторы питания с расширенным FBSOA Линейные МОП-транзисторы питания IXYS с расширенным FBSOA - это N-канальные МОП-транзисторы питания в режиме усиления, предназначенные для линейной работы в корпусе международного стандарта. Линейные силовые МОП-транзисторы IXYS с расширенным FBSOA оснащены миниблоком с изоляцией из нитрида алюминия, высокой плотностью мощности, компактным и простым в монтаже корпусом и формовочной эпоксидной смолой, соответствующей классификации воспламеняемости UL94 V-0.

Технические параметры

Type:Linear L2 Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:44 ns
Packaging:Tube
Rise Time:133 ns
Вес, г7
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D3PAK-3(TO-268-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:320 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:540 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:127 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:11 S
Rds On - Drain-Source Resistance:170 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация