IXTT36N50P, MOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005506859
- Артикул
- IXTT36N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- PolarHV Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 21 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | PolarHV Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D3PAK-3(TO-268-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 85 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 540 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 23 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.17 Ом |