IXTT2N170D2, MOSFETs 1700V 2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007174164
- Артикул
- IXTT2N170D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Тип
- Depletion Mode MOSFET
- Вес, г
- 605
- Длина
- 14 mm
- Серия
- IXTT2N170
Цена по запросу
(от 5 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 1700V 2A
Технические параметры
| Тип | Depletion Mode MOSFET |
| Вес, г | 605 |
| Длина | 14 mm |
| Серия | IXTT2N170 |
| Высота | 5.1 mm |
| Ширина | 16.05 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 106 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Время нарастания | 58 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 568 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.7 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.4 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |