IXTT20P50P, MOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004636856
- Артикул
- IXTT20P50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- PolarP Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTT20P50
- Fall Time:
- 34 ns
Цена по запросу
(от 2 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -500В, -20А, 460Вт, ТО268 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | PolarP Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTT20P50 |
| Fall Time: | 34 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Tradename: | PolarP |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-268-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 103 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |