IXTT10N100D2, MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005506857
- Артикул
- IXTT10N100D2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 3 559,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-268-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 695 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |