Моя заявка (0)

IXTQ88N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TO3P

IXTQ88N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TO3P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017562952
Артикул
IXTQ88N30P
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO3P
Mounting
THT
Technology
PolarHT™
Вес, г
5.3
Цена по запросу
(от 1 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IXTQ88N30P от производителя IXYS – мощный компонент для применения в высоковольтных схемах. Этот N-MOSFET транзистор обладает впечатляющим током стока 88 А и напряжением сток-исток до 300 В, что позволяет использовать его в силовой электронике. Мощность устройства составляет 600 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,04 Ом способствует повышенной эффективности и снижению потерь. Монтаж через отверстия (THT) и корпус TO3P гарантируют надежное и удобное внедрение в электронные узлы. Покупая IXTQ88N30P, вы получаете надежный компонент для работы в требовательных условиях. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 88 Напряжение сток-исток, В 300 Мощность, Вт 600 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.04 Корпус TO3P

Технические параметры

CaseTO3P
MountingTHT
TechnologyPolarHT™
Вес, г5.3
Gate charge180nC
Polarisationunipolar
Drain current88A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation600W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40mΩ
Drain-source voltage300V
Reverse recovery time250ns
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А88
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация