Моя заявка (0)

IXTQ82N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO3P

IXTQ82N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 82А, 500Вт, TO3P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017539996
Артикул
IXTQ82N25P
Бренд
Ixys Corporation
Вид
N-MOSFET
Тип
полевой
Вес, г
5.3
Корпус
to3p
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IXTQ82N25P от IXYS — высокомощный компонент для силовой электроники. Идеально подходит для применения в различных устройствах, требующих надежного управления мощными нагрузками. Модель N-MOSFET, рассчитана на ток стока до 82 А и напряжение сток-исток до 250 В. Впечатляющая мощность в 500 Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,038 Ом обеспечивают высокую эффективность и минимальные энергопотери. Монтаж через отверстия (THT) и корпус TO3P гарантируют удобство установки и надёжную эксплуатацию. Приобретая IXTQ82N25P, вы выбираете качество и долговечность для вашей техники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 82 Напряжение сток-исток, В 250 Мощность, Вт 500 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.038 Корпус TO3P

Технические параметры

ВидN-MOSFET
Типполевой
Вес, г5.3
Корпусto3p
МонтажTHT
СтруктураMOSFET
Ток стока, А82
Мощность, Вт500
Особенности-
Напряжение сток-исток, В250
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Сопротивление в открытом состоянии, Ом0.038
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация