Моя заявка (0)

IXTQ75N10P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 75А, 360Вт, TO3P

IXTQ75N10P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 75А, 360Вт, TO3P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049779669
Артикул
IXTQ75N10P
Бренд
Ixys Corporation
Тип
PolarHT Power MOSFET
Вес, г
5.31
Длина
15.8 mm
Серия
IXTQ75N10
Цена по запросу
(от 845,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 75 Amps 100V 0.025 Rds

Технические параметры

ТипPolarHT Power MOSFET
Вес, г5.31
Длина15.8 mm
СерияIXTQ75N10
Channel TypeN Channel
Высота20.3 mm
Ширина4.9 mm
УпаковкаTube
Power Dissipation360Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада45 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-3P-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора74 nC
Время нарастания53 ns
Drain Source On State Resistance0.021Ом
Линейка ПродукцииPolarHT
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока75А
Рассеиваемая Мощность360Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs5.5В
Pd - рассеивание мощности360 W
Id - непрерывный ток утечки75 A
Коммерческое обозначениеPolarHT
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки30
Стиль Корпуса ТранзистораTO-3P
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения66 ns
Типичное время задержки при включении27 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5.5 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.021Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.20 S

Техническая документация