Моя заявка (0)

IXTQ69N30P,Power MOSFET, N Channel, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Through Hole

IXTQ69N30P,Power MOSFET, N Channel, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003720884
Артикул
IXTQ69N30P
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
4
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
Polar
Цена по запросу
(от 2 850 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IXTQ69N30P от производителя IXYS — идеальный выбор для мощных схем. С монтажом THT и высоким током стока 69А, данный компонент обеспечивает отличную производительность. Напряжение сток-исток составляет 300В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Мощность в 500Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,049 Ом подчеркивают высокую эффективность транзистора. Вид N-MOSFET и корпус TO3P упрощают интеграцию в различные электронные устройства. Выбирая IXTQ69N30P для своих проектов, вы получаете надежность и мощность, подтвержденные качеством IXYS. Получите этот транзистор по коду IXTQ69N30P и убедитесь в его превосходных характеристиках сами. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 69 Напряжение сток-исток, В 300 Мощность, Вт 500 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.049 Корпус TO3P

Технические параметры

Вес, г4
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Product RangePolar
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-3P
Особенности-
Drain Source Voltage Vds300V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id69A
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А69
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация