IXTQ60N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 60А, 500Вт, TO3P, 118нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544762
- Артикул
- IXTQ60N20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO3P
- Type
- N Channel
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 5.3
Цена по запросу
(от 559,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200 В 60 А 500 Вт 40 Мом при 10 В, 30 А 5 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-3P-3 ROHS
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Type | N Channel |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 5.3 |
| Gate charge | 73nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 60A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 500W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Reverse recovery time | 118ns |
| Power Dissipation (Pd) | 500W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 73nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.53nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@10V, 30A |