Моя заявка (0)

IXTQ52N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 52А, 400Вт, TO3P

IXTQ52N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 52А, 400Вт, TO3P

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072838481
Артикул
IXTQ52N30P
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
IXTQ52N30
Fall Time:
20 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 957 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IXTQ52N30P от производителя IXYS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Этот транзистор обладает током стока 52 А и напряжением сток-исток, достигающим 300 В, что делает его идеальным выбором для задач, требующих большой мощности. С мощностью в 400 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. В корпусе TO3P этот компонент легко интегрируется в различные области применения, где требуется надежное управление мощностью. Код товара IXTQ52N30P станет ключевым элементом в вашем проекте, обеспечивая стабильную работу и долговечность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 52 Напряжение сток-исток, В 300 Мощность, Вт 400 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.073 Корпус TO3P

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:IXTQ52N30
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:22 ns
Вес, г5.31
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product RangePolar
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-3P-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:110 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Polarity:N-Channel
Transistor Case StyleTO-3P
Pd - Power Dissipation:400 W
Drain Source Voltage Vds300V
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Continuous Drain Current Id52A
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:52 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Rds On - Drain-Source Resistance:66 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:300 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация